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Bipolar Transistor 50V, 5A, Low VCE(sat), NPN Single CPH3

Features • Adoption of MBIT processes • High current capacitance • Low collector-to-emitter saturation voltage • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.9mm) • High allowable power dissipation Applications • Relay drivers, lamp drivers, motor driv

ONSEMI

安森美半导体

Case, Shoulder-Pack, Medium

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POMONA

Pomona Electronics

RF AMPLIFIER MODEL

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APITECH

RF AMPLIFIER MODEL

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APITECH

4096-word x 1-bit High Speed CMOS Static RAM

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HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

更新时间:2025-12-28 10:07:01
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    深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人:彭先生 QQ:2851196982 直线:0755-82991809 手机:13787628849 邮箱:pc@szruizhixin.com 地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号:UPD30181AYF1-131-GA3-A 品牌:Renesas 包装:50 封装:BGA240

    2021-9-3
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    UPD720114GA-YEU-AT,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

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    UPD720114GA-9EU-A,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-22
  • UPD16818GR-8JG-步进电机控制器/驱动器

    描述 该mPD16818是单片双H桥驱动器集成电路,它使用其输出级N沟道功率MOS场效应管。通过雇用输出级的功率MOS场效应晶体管,该驱动电路的电压和饱和度大幅提高功耗比传统的驱动电路,使用双极晶体管。此外,驱动电流可以调节,在节电模式下使用外部电阻器。因此,该mPD16818作为一个两相励磁驱动电路的理想,双极步进电机驱动头执行器的一个FDD。 特征 •兼容电源电压3V-/5V- •引脚兼容与mPD16803 •低(顶部和底部的ON电阻马鞍山FET的总和)ON电阻 R

    2013-2-5
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    描述 该mPD16813是单片双H桥驱动电路,在它的驱动级功率MOS场效应管。通过补充P通道和N通道的输出级,电路电流大幅inproved相对于传统电荷泵驱动程序。该mPD16813因此作为2相励磁驱动电路的理想,双极步进电机驱动头部的一个FDD驱动器。 特征 •低(顶部和底部的ON电阻晶体管的总和)ON电阻RON的典型值=2.0瓦特。 •低电流消耗:国际直拨电话= 100 mA最大。 •降噪电路,操作时INC已关闭。 •小型表面贴装封装:16引脚SOP的塑

    2013-2-5