型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
UPD45128163G5-A75-9JF

128M-bitSynchronousDRAM4-bank,LVTTL

Description TheµPD45128441,45128841,45128163arehigh-speed134,217,728-bitsynchronousdynamicrandom-accessmemories,organizedas8,388,608×4×4,4,194,304×8×4,2,097,152×16×4(word×bit×bank),respectively. ThesynchronousDRAMsachievedhigh-speeddatatransferusingthepi

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC
UPD45128163G5-A75-9JF

128M-bitSynchronousDRAM4-bank,LVTTL

文件:821.74 Kbytes Page:86 Pages

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

ELPIDA

128M-bitSynchronousDRAM4-bank,LVTTL

文件:932.36 Kbytes Page:86 Pages

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

ELPIDA

UPD45128163G5-A75-9JF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPD45128163G5-A75-9JF

  • 制造商

    Elpida Memory Inc

  • 功能描述

    8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54

更新时间:2025-6-4 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ELPIDA
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原装现货,当天可交货,原型号开票
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    描述该mPD16818是单片双H桥驱动器集成电路,它使用其输出级N沟道功率MOS场效应管。通过雇用输出级的功率MOS场效应晶体管,该驱动电路的电压和饱和度大幅提高功耗比传统的驱动电路,使用双极晶体管。此外,驱动电流可以调节,在节电模式下使用外部电阻器。因此,该mPD16818作为一个两相励磁驱动电路的理想,双极步进电机驱动头执行器的一个FDD。特征•兼容电源电压3V-/5V-•引脚兼容与mPD16803•低(顶部和底部的ON电阻马鞍山FET的总和)ON电阻R

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    2013-2-5