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原厂原装

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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NEC

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eneENE TECHNOLOGY INC.

迅杰科技股份有限公司

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ene

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ES

ES Systems

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ES

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NA

NI

National Instruments Inc.

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NI

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ICS

Integrated Circuit Systems

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ICS

Renesas Electronics America In
NA

AMEAnalogMicroElectronics,Inc.

安茂安茂微电子

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AME

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eneENE TECHNOLOGY INC.

迅杰科技股份有限公司

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UPD44646363AF5-E22-FQ1-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPD44646363AF5-E22-FQ1-A

  • 功能描述

    SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    EEPROMs - 串行

  • 存储器类型

    EEPROM

  • 存储容量

    8K(1K x 8)

  • 速度

    400kHz

  • 接口

    I²C,2 线串口

  • 电源电压

    1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

  • 供应商设备封装

    8-SOIC

  • 包装

    带卷(TR)

更新时间:2024-4-19 22:58:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
2016+
BGA
1980
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
RENESAS/瑞萨
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NA/
3266
原装现货,当天可交货,原型号开票
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原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
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全新原装现货,假一赔十
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只做原装正品现货!或订货假一赔十!
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绝对原装正品全新进口深圳现货
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全新原装现货,假一赔十
RENESAS/瑞萨
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2750
只做原装公司现货!
RENESAS
BGA
320
正品原装--自家现货-实单可谈
RenesasElectronicsAmeric
2022
SRAMDDRII72MBIT165-PBGA
5058
原厂原装正品,价格超越代理

UPD44646363AF5-E22-FQ1-A芯片相关品牌

  • Altera
  • BILIN
  • Cree
  • ETC
  • HY
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  • spansion
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  • VBSEMI

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    2022-4-2
  • UPD30181AYF1-131-GA3-A 瑞智芯 只有原装

    深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人:彭先生 QQ:2851196982 直线:0755-82991809 手机:13787628849 邮箱:pc@szruizhixin.com 地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号:UPD30181AYF1-131-GA3-A 品牌:Renesas 包装:50 封装:BGA240

    2021-9-3
  • UPD720114GA-YEU-AT

    UPD720114GA-YEU-AT,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-22
  • UPD720114GA-9EU-A

    UPD720114GA-9EU-A,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-22
  • UPD16818GR-8JG-步进电机控制器/驱动器

    描述该mPD16818是单片双H桥驱动器集成电路,它使用其输出级N沟道功率MOS场效应管。通过雇用输出级的功率MOS场效应晶体管,该驱动电路的电压和饱和度大幅提高功耗比传统的驱动电路,使用双极晶体管。此外,驱动电流可以调节,在节电模式下使用外部电阻器。因此,该mPD16818作为一个两相励磁驱动电路的理想,双极步进电机驱动头执行器的一个FDD。特征•兼容电源电压3V-/5V-•引脚兼容与mPD16803•低(顶部和底部的ON电阻马鞍山FET的总和)ON电阻R

    2013-2-5
  • UPD16813-整体式双H桥驱动器电路

    描述该mPD16813是单片双H桥驱动电路,在它的驱动级功率MOS场效应管。通过补充P通道和N通道的输出级,电路电流大幅inproved相对于传统电荷泵驱动程序。该mPD16813因此作为2相励磁驱动电路的理想,双极步进电机驱动头部的一个FDD驱动器。特征•低(顶部和底部的ON电阻晶体管的总和)ON电阻RON的典型值=2.0瓦特。•低电流消耗:国际直拨电话=100mA最大。•降噪电路,操作时INC已关闭。•小型表面贴装封装:16引脚SOP的塑

    2013-2-5