| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi-Epitaxial Mesa technology for cost-effective high performance. It uses a Hollow Emitter structure to enhance switching speeds. The BUL series is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies. ■ S | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | ||
RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS DESCRIPTION The SD1729 is a Class AB 28 V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB communications. This device utilizes emitter ballasting to achieve extreme ruggedness under severe operating conditions. ■ OPTIMIZED FOR SSB ■ 30 MHz ■ 28 VOLTS ■ IMD −30 dB ■ COMMON | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Dual Low-Power, 120MHz Op Amp 文件：167.92 Kbytes Page：6 Pages | NSC 国半 | | ||
Dual Low-Power, 120MHz Op Amp 文件：167.92 Kbytes Page：6 Pages | NSC 国半 | | ||
3.0 mm X 7.0 mm Series 文件：32.159 Kbytes Page：1 Pages | PANASONIC 松下 | |
| 替换型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
16,384 X 1 BIT DYNAMIC RAM | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC | | |
16,384 X 1 BIT DYNAMIC RAM | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC | | |
16384-BIT (16384 X 1 ) DYNAMIC RAM | NSC 国半 | NSC | | |
16,384-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY | TI 德州仪器 | TI | | |
16,384-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY | TI 德州仪器 | TI | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
M174 |
293 |
现货供应 |
|||
ST |
25+ |
Description |
20000 |
原装 |
|||
ST/意法 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
ST |
26+ |
NA |
60000 |
只有原装 可配单 |
|||
AMPHENOL/安费诺 |
24+ |
原封装 |
52000 |
只做原装进口现货 |
|||
AMPHENOL/安费诺 |
24+ |
原封装 |
29823 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
ST |
2511 |
Description |
16900 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
ST/意法 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
26+ |
N/A |
75000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
TOSHIBA |
23+ |
M174 |
3000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
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UPD70F3380M2GJA1-GAE-AX微控制器
UPD70F3380M2GJA1-GAE-AX 进口代理
2025-8-12UPD30181AYF1-131-GA3-A 瑞智芯 只有原装
深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号：UPD30181AYF1-131-GA3-A 品牌：Renesas 包装：50 封装：BGA240
2021-9-3UPD720114GA-YEU-AT
UPD720114GA-YEU-AT，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-11-22UPD720114GA-9EU-A
UPD720114GA-9EU-A，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-11-22UPD16818GR-8JG-步进电机控制器/驱动器
描述 该mPD16818是单片双H桥驱动器集成电路，它使用其输出级N沟道功率MOS场效应管。通过雇用输出级的功率MOS场效应晶体管，该驱动电路的电压和饱和度大幅提高功耗比传统的驱动电路，使用双极晶体管。此外，驱动电流可以调节，在节电模式下使用外部电阻器。因此，该mPD16818作为一个两相励磁驱动电路的理想，双极步进电机驱动头执行器的一个FDD。 特征 •兼容电源电压3V-/5V- •引脚兼容与mPD16803 •低（顶部和底部的ON电阻马鞍山FET的总和）ON电阻 R
2013-2-5UPD16813-整体式双H桥驱动器电路
描述 该mPD16813是单片双H桥驱动电路，在它的驱动级功率MOS场效应管。通过补充P通道和N通道的输出级，电路电流大幅inproved相对于传统电荷泵驱动程序。该mPD16813因此作为2相励磁驱动电路的理想，双极步进电机驱动头部的一个FDD驱动器。 特征 •低（顶部和底部的ON电阻晶体管的总和）ON电阻RON的典型值=2.0瓦特。 •低电流消耗：国际直拨电话= 100 mA最大。 •降噪电路，操作时INC已关闭。 •小型表面贴装封装：16引脚SOP的塑
2013-2-5
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