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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Quad2-inputANDgate Description BU4001BseriesICsare2-inputpositivelogicNORgates,eachwithfourbuilt-incircuits.Abufferachievedbyaninverteraddedatthegateoutputimprovestheinput/outputpropagationcharacteristicsandminimizesvariationinthepropagationtimecausedbyanincreaseintheloa | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 |  |   | |
Quad2-inputANDgate Description BU4001BseriesICsare2-inputpositivelogicNORgates,eachwithfourbuilt-incircuits.Abufferachievedbyaninverteraddedatthegateoutputimprovestheinput/outputpropagationcharacteristicsandminimizesvariationinthepropagationtimecausedbyanincreaseintheloa | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | | | |
HighVoltageCMOSLogicICs>Gate> 文件：505.65 Kbytes Page：22 Pages | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | | | |
HighVoltageCMOSLogicICs>Gate> 文件：516.74 Kbytes Page：22 Pages | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | | | |
HighVoltageCMOSLogicICs>Gate> 文件：505.65 Kbytes Page：22 Pages | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | | |
| 替换型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Quad 2-Input OR Buffered B Series Gate . Quad 2-Input AND Buffered B Series Gate | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  | | |
Quad 2-Input OR, AND Buffered B Series Gate | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 |  | | |
Quad 2-Input OR Buffered B Series Gate . Quad 2-Input AND Buffered B Series Gate | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
Quad 2-Input OR, AND Buffered B Series Gate | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 | | | |
Quad 2-Input OR Buffered B Series Gate Quad 2-Input AND Buffered B Series Gate | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
CMOS AND GATES | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 |  | | |
CMOS AND GATES | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | | | |
CMOS AND GATES | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | | | |
Quad 2-Input OR, AND Buffered B Series Gate | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 | | | |
AND GATES | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  | | |
Quadruple 2-input AND Gate | HitachiHitachi, Ltd. 日立公司 |  | | |
Quadruple 2-input AND gate | PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦 |  | | |
Quadruple 2-input AND gate | PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | | | |
B-Suffix Series CMOS Gates | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | | |
B-Suffix Series CMOS Gates | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
B-Suffix Series CMOS Gates | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉 |  | | |
B-SUFFIX SERIES CMOS GATES | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
B−Suffix Series CMOS Gates | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
B-Suffix Series CMOS Gates | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉 | | |
UPD4081产品属性
- 类型
描述
- 型号
UPD4081
- 制造商
Panasonic Industrial Company
- 功能描述
IC
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
23+ |
NA/ |
100 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ROHM |
17+ |
DIP14 |
9988 |
只做原装进口,自己库存 |
|||
ROHM |
22+ |
DIP-14 |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
ROHM |
06+07+ |
TSSOP16 |
81 |
||||
ROHM |
23+ |
TSSOP16 |
18000 |
||||
ROHM/罗姆 |
DIP14 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
ROHM-罗姆 |
24+25+/26+27+ |
DIP-14 |
36218 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
ROHM |
23+ |
DIP14 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
ROHM/罗姆 |
23+ |
DIP-14 |
25500 |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
|||
ROHM/罗姆 |
22+ |
DIP-14 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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2022-4-2UPD30181AYF1-131-GA3-A 瑞智芯 只有原装
深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号：UPD30181AYF1-131-GA3-A 品牌：Renesas 包装：50 封装：BGA240
2021-9-3UPD720114GA-YEU-AT
UPD720114GA-YEU-AT，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-11-22UPD720114GA-9EU-A
UPD720114GA-9EU-A，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-11-22UPD16818GR-8JG-步进电机控制器/驱动器
描述该mPD16818是单片双H桥驱动器集成电路，它使用其输出级N沟道功率MOS场效应管。通过雇用输出级的功率MOS场效应晶体管，该驱动电路的电压和饱和度大幅提高功耗比传统的驱动电路，使用双极晶体管。此外，驱动电流可以调节，在节电模式下使用外部电阻器。因此，该mPD16818作为一个两相励磁驱动电路的理想，双极步进电机驱动头执行器的一个FDD。特征•兼容电源电压3V-/5V-•引脚兼容与mPD16803•低（顶部和底部的ON电阻马鞍山FET的总和）ON电阻R
2013-2-5UPD16813-整体式双H桥驱动器电路
描述该mPD16813是单片双H桥驱动电路，在它的驱动级功率MOS场效应管。通过补充P通道和N通道的输出级，电路电流大幅inproved相对于传统电荷泵驱动程序。该mPD16813因此作为2相励磁驱动电路的理想，双极步进电机驱动头部的一个FDD驱动器。特征•低（顶部和底部的ON电阻晶体管的总和）ON电阻RON的典型值=2.0瓦特。•低电流消耗：国际直拨电话=100mA最大。•降噪电路，操作时INC已关闭。•小型表面贴装封装：16引脚SOP的塑
2013-2-5
DdatasheetPDF页码索引
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