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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
UPD166101GR | N-CHANNEL LOW SIDE INTELLIGENT POWER DEVICE 文件：399.66 Kbytes Page：11 Pages | NEC 瑞萨 |   | |
UPD166101GR | Intelligent Power Devices | RENESAS 瑞萨 | | |
MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES Built in current limit and thermal shutdown circuit. Thermal shutdown will automatically restart after the channel temperature has cool down. Low on-state resistance: RDS(ON) = 160 mΩ (VIN = 5 V, IOUT = 0.8 A, Tch = 25°C) Built in dynamic clamp circuit uPD166101: Dual channel Low-s | RENESAS 瑞萨 | | ||
MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES Built in current limit and thermal shutdown circuit. Thermal shutdown will automatically restart after the channel temperature has cool down. Low on-state resistance: RDS(ON) = 160 mΩ (VIN = 5 V, IOUT = 0.8 A, Tch = 25°C) Built in dynamic clamp circuit uPD166101: Dual channel Low-s | RENESAS 瑞萨 | | ||
MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES Built in current limit and thermal shutdown circuit. Thermal shutdown will automatically restart after the channel temperature has cool down. Low on-state resistance: RDS(ON) = 160 mΩ (VIN = 5 V, IOUT = 0.8 A, Tch = 25°C) Built in dynamic clamp circuit uPD166101: Dual channel Low-s | RENESAS 瑞萨 | | ||
N-CHANNEL LOW SIDE INTELLIGENT POWER DEVICE 文件：399.66 Kbytes Page：11 Pages | NEC 瑞萨 | | ||
包装：托盘 描述：IC MCU 集成电路（IC） 微控制器 | ETC 知名厂家 | ETC | |
UPD166101GR产品属性
- 类型
描述
- 型号
UPD166101GR
- 制造商
NEC
- 制造商全称
NEC
- 功能描述
N-CHANNEL LOW SIDE INTELLIGENT POWER DEVICE
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
24+ |
SOP8 |
8540 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
Renesas |
21+ |
- |
2500 |
全新原装鄙视假货 |
|||
NEC |
20+ |
SOP8 |
2960 |
诚信交易大量库存现货 |
|||
NEC |
2025+ |
SOP8 |
4365 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
RENESAS□□□ |
23+ |
SOP8 |
10858 |
原装进口瑞萨代理经销正迈科技QQ1304306553 |
|||
Renesas Electronics America In |
25+ |
- |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
/ROHS.original |
原封 |
22102 |
电子元件,供应 -正纳电子/ 元器件IC -MOS -MCU. |
|||
NEC |
2403+ |
SOP8 |
6489 |
原装现货热卖!十年芯路!坚持! |
|||
NEC |
22+ |
SOP8 |
8200 |
全新原装现货!自家库存! |
UPD166101GR规格书下载地址
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2023-2-3UPD166005GR-E1-AZ
UPD166005GR-E1-AZ
2020-4-29UPC8190T5E-E1，UPD16814GS，UPD17012GF-554，UPD17225GT-G02-E1，
UPC8190T5E-E1，UPD16814GS，UPD17012GF-554，UPD17225GT-G02-E1，
2020-2-27UPD168002-整体式6通道H桥式驱动器...
描述 μPD168002的是单片6通道H桥驱动的CMOS控制电路和一个MOS输出由阶段。它可以减少电流消耗，并在输出级的电压损失与常规驱动程序使用双极晶体管，MOS工艺的一个工作表示感谢。在μPD168002采用P沟道MOS管场效应管输出级，并消除了电荷泵电路。因此，电路中的电流消耗操作可以大大减少。该封装是48引脚TQFP，有助于减少安装面积和高度。在μPD168002可以用来驱动一个步进马达和四个直流电动机，是为电机驱动器，适合 CD-ROM/CD音频。 特征 •六H桥电路采用功率MOS场效应管 ̶
2013-2-5UPD168116A-7通道支撑带微步脉冲输入函数H桥式驱动器
描述 该μPD168116A是一个7通道H -桥用微小阶跃函数配套脉冲输入认为A由司机CMOS控制电路和一MOS输出阶段。它能降低电流消耗和在电压亏损输出级则为常规驱动程序使用双极晶体管，多亏一个MOS工艺就业。该μPD168116A可以驱动通过输入脉冲一步进电机，使信号行数必要 控制电机可以下降。 包是一个56引脚WQFN，有助于降低安装面积和高度。 该μPD168116A可以用来驱动两个步进马达或两个DC马达和一线圈。 特征 •七个H桥电路用人功率MOSFET •低电压驾驶 VDD的= 2.7
2013-2-5UPD16813-整体式双H桥驱动器电路
描述 该mPD16813是单片双H桥驱动电路，在它的驱动级功率MOS场效应管。通过补充P通道和N通道的输出级，电路电流大幅inproved相对于传统电荷泵驱动程序。该mPD16813因此作为2相励磁驱动电路的理想，双极步进电机驱动头部的一个FDD驱动器。 特征 •低（顶部和底部的ON电阻晶体管的总和）ON电阻RON的典型值=2.0瓦特。 •低电流消耗：国际直拨电话= 100 mA最大。 •降噪电路，操作时INC已关闭。 •小型表面贴装封装：16引脚SOP的塑
2013-2-5
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