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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
UPC8181TB-E3-A | 3V,SILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS 文件：285.4 Kbytes Page：8 Pages | CEL California Eastern Labs |  |   |
BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=23.0mATYP.@VCC=3.0V •Mediumoutputpower:PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=0.9GHz PO(1dB)=+7.0dBmTYP.@f=1.9GHz PO(1dB)=+7.0dBmTYP.@f=2.4GHz •Powergain:GP=19.0dBTYP.@f=0.9GHz GP=2 | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | | |
3V,SILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS 文件：154.34 Kbytes Page：16 Pages | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 |  | |
UPC8181TB-E3-A产品属性
- 类型
描述
- 型号
UPC8181TB-E3-A
- 功能描述
射频放大器 3V Med Pwr Amplifier
- RoHS
否
- 制造商
Skyworks Solutions, Inc.
- 类型
Low Noise Amplifier
- 工作频率
2.3 GHz to 2.8 GHz
- P1dB
18.5 dBm
- 输出截获点
37.5 dBm
- 功率增益类型
32 dB
- 噪声系数
0.85 dB
- 工作电源电压
5 V
- 电源电流
125 mA
- 测试频率
2.6 GHz
- 最大工作温度
+ 85 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
QFN-16
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
17+ |
SOT-363 |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
CEL |
24+ |
原厂原封 |
5000 |
原装正品 |
|||
NEC |
23+ |
SOT-363 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
NEC |
1742+ |
SOT363 |
98215 |
只要网上有绝对有货!只做原装正品! |
|||
NEC |
23+ |
SC70-6 |
999999 |
原装正品现货量大可订货 |
|||
NEC |
22+ |
SOT363 |
6000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
NEC |
24+ |
SOT-363 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
NEC |
19+ |
SC70-6 |
20000 |
16550 |
|||
NEC |
24+ |
SOT363 |
8950 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
|||
CEL |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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2020-2-27UPD168002-整体式6通道H桥式驱动器...
描述μPD168002的是单片6通道H桥驱动的CMOS控制电路和一个MOS输出由阶段。它可以减少电流消耗，并在输出级的电压损失与常规驱动程序使用双极晶体管，MOS工艺的一个工作表示感谢。在μPD168002采用P沟道MOS管场效应管输出级，并消除了电荷泵电路。因此，电路中的电流消耗操作可以大大减少。该封装是48引脚TQFP，有助于减少安装面积和高度。在μPD168002可以用来驱动一个步进马达和四个直流电动机，是为电机驱动器，适合CD-ROM/CD音频。特征•六H桥电路采用功率MOS场效应管̶
2013-2-5UPC8112TB-IC
描述mPC8112TB是硅单片集成电路，第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片，体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20GHz的FTNESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此，该IC具有优良的性能，均匀性和可靠性。应用
2012-12-14
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