| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RECTIFIERS ASSEMBLIES THREE PHASE BRIDGES, 2.5 AMP, STANDARD AND FAST RECOVERY Three Phase Bridges, 2.5 Amp, Standard and Fast Recovery FEATURES • Miniature Package • Recovery Time : to 500 ns • Surge Ratings : to 25 A • PIV : from 100 to 600 V • Controlled Avalanche Characteristics • Only Fused-in-Glass Diodes Used | Microsemi 美高森美 |   | ||
PHENOLIC INSTRUMENT CASES [KEYSTONE] PHENOLIC INSTRUMENT CASES •Choice of Sizes •Sturdy construction •Flush mounting panels •Cases and panels are sold separately •Covers available in Phenolic or Aluminum •Covers can be machined to accept dials, switches, displays •Panel mounting screws available | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
Highly compliant 文件：296.43 Kbytes Page：2 Pages | LSTD 莱尔德 | | ||
Temperature Sensors Line Guide 文件：736.09 Kbytes Page：11 Pages | Honeywell 霍尼韦尔 | | ||
PUSHBUTTON SWITCHES - SNAP-ACTING 文件：525.6 Kbytes Page：6 Pages | E-SWITCH | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIPEX |
25+ |
MSOP8 |
13800 |
原装,请咨询 |
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IDT |
19+ |
TQFP |
17585 |
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ATC |
24+ |
SMD |
99600 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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DIGIINTERNATIONAL |
25+ |
SMD |
157721 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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MOLEX/莫仕 |
2508+ |
/ |
337362 |
一级代理，原装现货 |
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ARTESYN |
25+ |
全新-电源模块 |
16635 |
ARTESYN电源模块7001230-Y000交期短价格好#即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
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MOLEX |
24+ |
13490 |
原装现货 |
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TI |
06+ |
MSOP8 |
1378 |
全新原装绝对自己公司现货 |
|||
EAO |
24+ |
500 |
优势货源原装正品 |
||||
IDT |
2025+ |
TQFP64 |
5000 |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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2022-6-6UPC1093-可调节精密并联稳压器
描述 该mPC1093可调精密并联稳压器的热稳定性保证。输出电压可 设置之间的任何参考电压（2.495 V）和36 V值由两个外部电阻器。 这些IC可应用于开关稳压器的误差放大器。 特征 •高精度 •低温度系数 •通过两个外部电阻调节输出电压 •低动态阻抗 订购信息 型号 封装 mPC1093J 3针塑料高级督察（至- 92） mPC
2013-3-13UPC317-3终端正可调稳压器
描述 mPC317是正电压可调三端稳压器，其中有1.5一个输出电流能力。可以由两个外部电阻设置输出电压1.3 V和30 V之间的任何值。 特点 •超过1.5 A的输出电流 •芯片上的一些保护电路（过电流保护，SOA保护和热关机）。
2013-1-9UPC8112TB-IC
描述 mPC8112TB是硅单片集成电路，第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。 mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。 mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片，体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20 GHz的FT NESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此，该IC具有优良的性能，均匀性和可靠性。 应用
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