型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

CASE 29.04, STYLE 5 TO-92 (TO-226AA)

JFET Switching N–Channel — Depletion

Motorola

摩托罗拉

CASE 29.04, STYLE 5 TO-92 (TO-226AA)

JFET Switching N–Channel — Depletion

Motorola

摩托罗拉

Dual 8-,10-,12-Bit High Bandwidth Multiplying DACs with Serial Interface

GENERAL DESCRIPTION The AD5429/AD5439/AD54491 are CMOS 8-, 10-, and 12-bit dual-channel current output digital-to-analog converters, respectively. These devices operate from a 2.5 V to 5.5 V power supply, making them suited to battery-powered and other applications. FEATURES 10 MHz mult

AD

亚德诺

Dual, Current-Output, Serial-Input, 16-/14-Bit DACs

PRODUCT OVERVIEW The AD5545/AD5555 are 16-bit/14-bit, current-output, digital=to-analog converters designed to operate from a 4.5 V to 5.5 V supply range. FEATURES 16-bit resolution AD5545 14-bit resolution AD5555 ±1 LSB DNL monotonic ±1 LSB INL 2 mA full-scale current ±

AD

亚德诺

Reliable solid state operation

文件:548.02 Kbytes Page:2 Pages

LSTD

莱尔德

UPC5555G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPC5555G

  • 制造商

    NEC Electronics Corporation

更新时间:2025-12-28 23:01:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ADI(亚德诺)
24+
TSSOP16
1612
只做原装,提供一站式配单服务,代工代料。BOM配单
ADI
24+
TSSOP
8000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
ADI/亚德诺
25+
996880
只做原装,欢迎来电资询
ADI/亚德诺
24+
TSSOP-16
6528
原厂原装正品现货,支持订货!!!
Analog
25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
ADI(亚德诺)
24+
标准封装
7883
我们只是原厂的搬运工
ADI/亚德诺
13+
NA
880000
明嘉莱只做原装正品现货
ADI/亚德诺
2025+
5000
原装进口价格优 请找坤融电子!
ADI
24+
16-TSSOP
59
ADI
最新
1000
原装正品现货

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  • UPC1093-可调节精密并联稳压器

    描述 该mPC1093可调精密并联稳压器的热稳定性保证。输出电压可 设置之间的任何参考电压(2.495 V)和36 V值由两个外部电阻器。 这些IC可应用于开关稳压器的误差放大器。 特征 •高精度 •低温度系数 •通过两个外部电阻调节输出电压 •低动态阻抗 订购信息 型号 封装 mPC1093J 3针塑料高级督察(至- 92) mPC

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  • UPC317-3终端正可调稳压器

    描述 mPC317是正电压可调三端稳压器,其中有1.5一个输出电流能力。可以由两个外部电阻设置输出电压1.3 V和30 V之间的任何值。 特点 •超过1.5 A的输出电流 •芯片上的一些保护电路(过电流保护,SOA保护和热关机)。

    2013-1-9
  • UPC8112TB-IC

    描述 mPC8112TB是硅单片集成电路,第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。 mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。 mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片,体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20 GHz的FT NESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此,该IC具有优良的性能,均匀性和可靠性。 应用

    2012-12-14