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UPC4556C	HIGHPERFORMANCEDUALDECOMPENSATEDOPERATIONALAMPLIFIER? SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
UPC4556C	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Gainbandwidthproducts:20MHz(Av≥20dB) •Highslewrate:5V/μs •Lowinputnoisevoltage:6μVp-p •Internalfrequencycompensation(Av≥20dB)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
4556	Heyco-TiteBrassLiquidTightCordgripsPGHubs [KEYSTONE] NYLONRETAININGWASHERS FLATWASHERS–NYLON&FIBRE INTERNALTOOTHWASHERS STEELLOCKWASHERS STEELFLATWASHERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
4556AD	DUALHIGHCURRENTOPERATIONALAMPLIFIER GENERALDESCRIPTION TheNJM4556Aintegratedcircuitisahigh-gain,highoutputcurrentdualoperationalamplifiercapableofdriving±70mAinto150Ωloads(±10.5Voutputvoltage),andoperatinglowsupplyvoltage(V+/V-=±2V~). TheNJM4556AcombinesmanyofthefeaturesofthepopularNJ	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社
4556	Airsolenoidvalve 文件：82.32 Kbytes Page：1 Pages	FESTOFesto Corporation. 费斯托公司德国FESTO费斯托（中国）有限公司
4556	SINGLE-CHIP4-BITCMOSMICROCOMPUTER 文件：1.05097 Mbytes Page：145 Pages	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
AA4556	DUALHIGHCURRENTOPERATIONALAMPLIFIER 文件：99.2 Kbytes Page：4 Pages	AGAMEMAgamem Microelectronic Inc. Agamem Microelectronic Inc.

UPC4556C产品属性

类型
描述
型号
UPC4556C
制造商
Panasonic Industrial Company
功能描述
IC

UPC4556C供应商更多...

更新时间：2024-4-25 11:36:00

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2022-6-6
UPC1093-可调节精密并联稳压器
描述该mPC1093可调精密并联稳压器的热稳定性保证。输出电压可设置之间的任何参考电压（2.495V）和36V值由两个外部电阻器。这些IC可应用于开关稳压器的误差放大器。特征•高精度•低温度系数•通过两个外部电阻调节输出电压•低动态阻抗订购信息型号封装mPC1093J3针塑料高级督察（至-92）mPC
2013-3-13
UPC317-3终端正可调稳压器
描述mPC317是正电压可调三端稳压器，其中有1.5一个输出电流能力。可以由两个外部电阻设置输出电压1.3V和30V之间的任何值。特点•超过1.5A的输出电流•芯片上的一些保护电路（过电流保护，SOA保护和热关机）。
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描述mPC8112TB是硅单片集成电路，第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片，体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20GHz的FTNESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此，该IC具有优良的性能，均匀性和可靠性。应用
2012-12-14

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