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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DeviceBus® for ODVA DeviceNet™, 2 Pr #2224 Str TC, PVCPO Ins, ISOA TC Brd, TPE Jkt, CMG Product Description DeviceBus® for ODVA DeviceNet™, 2 Pair 22+24AWG (154x44+105x44) Tinned Copper, PVC+PO Insulation, Individual Beldfoil® & OA Tinned Copper Braid(65%) Shield, TPE Outer Jacket, CMG | BELDEN 百通 |   | ||
Strain Relief Mounting Hole Punches 文件：130.259 Kbytes Page：1 Pages | Heyco | | ||
Dual-Die Programmable Linear Hall IC with Advanced Diagnostics for Safety-Critical Applications 文件：1.53882 Mbytes Page：48 Pages | ALLEGRO | | ||
Dual-Die Programmable Linear Hall IC with Advanced Diagnostics for Safety-Critical Applications 文件：1.53882 Mbytes Page：48 Pages | ALLEGRO | | ||
Two Coil Fan Motor Predriver 文件：170.57 Kbytes Page：5 Pages | ANACHIP 易亨电子 | |
UPC1346GS产品属性
- 类型
描述
- 型号
UPC1346GS
- 功能描述
Radio Data System(RDS) Demodulator
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Erni |
21+20+19+ |
369 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
||||
TE |
2450+ |
SOP |
6540 |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
|||
STM |
25+ |
700 |
|||||
ERNI |
2526+ |
原厂封装 |
1041 |
只做原装优势现货库存 渠道可追溯 |
|||
TE |
25+ |
100 |
原厂现货渠道 |
||||
24+ |
7 |
||||||
Anderson Power Products, Inc. |
23+ |
原厂封装 |
123 |
只做原装只有原装现货实报 |
|||
荣盛电子 |
2403+ |
11809 |
原装现货!欢迎随时咨询! |
||||
Desco |
新 |
8 |
全新原装 货期两周 |
||||
TE/泰科 |
23+ |
NA/原装 |
82985 |
代理-优势-原装-正品-现货*期货 |
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2022-6-6UPB1509GV RENESAS/瑞萨
www.hfxcom.com
2021-12-9UP9616Q
UP9616Q,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-8-7UPC1093-可调节精密并联稳压器
描述 该mPC1093可调精密并联稳压器的热稳定性保证。输出电压可 设置之间的任何参考电压（2.495 V）和36 V值由两个外部电阻器。 这些IC可应用于开关稳压器的误差放大器。 特征 •高精度 •低温度系数 •通过两个外部电阻调节输出电压 •低动态阻抗 订购信息 型号 封装 mPC1093J 3针塑料高级督察（至- 92） mPC
2013-3-13UPC317-3终端正可调稳压器
描述 mPC317是正电压可调三端稳压器，其中有1.5一个输出电流能力。可以由两个外部电阻设置输出电压1.3 V和30 V之间的任何值。 特点 •超过1.5 A的输出电流 •芯片上的一些保护电路（过电流保护，SOA保护和热关机）。
2013-1-9UPC8112TB-IC
描述 mPC8112TB是硅单片集成电路，第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。 mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。 mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片，体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20 GHz的FT NESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此，该IC具有优良的性能，均匀性和可靠性。 应用
2012-12-14
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