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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The μ PA2806 is N-channel MOSFET designed for DC/DC converter and power management applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on)1 = 57 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 10 A) ⎯ RDS(on)2 = 70 mΩ MAX. (VGS = 8 V, ID = 10 A) • Low Ciss: Ciss = 780 pF TYP. (VDS = 10 V, VGS

RENESAS

瑞萨

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The μ PA2806 is N-channel MOSFET designed for DC/DC converter and power management applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on)1 = 57 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 10 A) ⎯ RDS(on)2 = 70 mΩ MAX. (VGS = 8 V, ID = 10 A) • Low Ciss: Ciss = 780 pF TYP. (VDS = 10 V, VGS

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UPA2806T1L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPA2806T1L

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

更新时间:2026-1-6 9:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
23+
QFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
RENESAS/瑞萨
2450+
HVSON8
6540
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4600
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22+
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20000
公司只做原装 品质保障
RENESAS/瑞萨
23+
QFN
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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23+
QFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
24+
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51000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
RENESAS/瑞萨
24+
QFN
60000
RENESAS/瑞萨
23+
QFN
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QFN
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