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UPA2800T1L-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The μ PA2800 is N-channel MOSFET designed for DC/DC converter and power management applications of portable equipments. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 7.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 17 A) RDS(on)2 = 10 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 8.5 A) • Built-in gate protection di

RENESAS

瑞萨

更新时间:2026-2-13 13:49:00
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