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UPA2762UGR-E1-AT

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheμPA2762UGRisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofanotebookcomputer. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=13.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=12A) ⎯RDS(on)2=22mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=10A) •LowCiss:Ciss

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

UPA2762UGR-E1-AT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPA2762UGR-E1-AT

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

更新时间:2024-6-3 19:03:00
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RENESAS
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