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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2210T1MisP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forpowermanagementapplicationsofportableequipments,suchas loadswitch. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=29mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−7.2A) RDS(on)2=41mΩMAX.(VGS=−2.5V,ID=−3.6A)

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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更新时间:2024-6-23 23:00:01
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    2020-8-7
  • UP9616P

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    2020-8-7
  • UP7534CMA5-15原装正品价格优势

    原装正品,价格优势我们竭诚为您服务13342971909吴小姐

    2019-3-6
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    2013-1-9