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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
ComplementaryDualGeneralPurposeAmplifierTransistor Features •HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=200mA •HighhFE:hFE=200400 •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating−HumanBodyModel:3A −MachineModel:C •Pb−FreePackageisAvailable | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   | |
ComplementaryDualGeneralPurposeAmplifierTransistor Features •HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=200mA •HighhFE:hFE=200400 •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating−HumanBodyModel:3A −MachineModel:C •Pb−FreePackageisAvailable | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
ComplementaryDualGeneralPurposeAmplifierTransistor ComplementaryDualGeneralPurposeAmplifierTransistor PNPandNPNSurfaceMount Features •HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=200mA •HighhFE:hFE=200~400 •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating−HumanBodyModel:3A ESDRating−MachineModel:C •NSVPrefixf | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
ComplementaryDualGeneralPurposeAmplifierTransistor 文件：72.41 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
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UMZ1NT1/D产品属性
- 类型
描述
- 型号
UMZ1NT1/D
- 功能描述
Complimentary Dual General Purpose Transistors
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2020+ |
SOT363 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
ON/安森美 |
2021/2022+ |
NA |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
onsemi(安森美) |
23+ |
SC88 |
6000 |
||||
ON |
1811+ |
SOT363 |
9000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
onsemi |
23+ |
6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
ON |
23+ |
SOT363 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
|||
PTIF |
2310+ |
SOP/DIP |
3699 |
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
NA |
8435 |
可订货,请确认 |
|||
ON/安森美 |
2022+ |
10425 |
原厂原装,假一罚十 |
||||
ON/安森美 |
21+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
UMZ1NT1/D芯片相关品牌
UMZ1NT1/D规格书下载地址
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2020-8-4
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