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UG2310TK-E2-A

GaAs INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • High gain : GP = 27.0 dB TYP. • Low distortion : OIP3 = +28.5 dBm TYP. • 6-pin lead-less minimold package (1.5 × 1.1 × 0.55 mm)

RENESAS

瑞萨

GaAs INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • High gain : GP = 27.0 dB TYP. • Low distortion : OIP3 = +28.5 dBm TYP. • 6-pin lead-less minimold package (1.5 × 1.1 × 0.55 mm)

RENESAS

瑞萨

GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER FOR SATELLITE RADIO

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CEL

更新时间:2025-11-21 10:20:00
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