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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MOSFETsSiliconCarbideN-ChannelMOS Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=1200V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=30m Ω(typ.) (5)Lesssusceptibletomalfunctionduetohighthresholdvoltage: | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |  |   |
更新时间：2024-5-15 17:30:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Toshiba |
23+ |
TO-247 |
3268 |
SIC芯片新能源供应全新正品 |
|||
Samtec |
2308+ |
483645 |
一级代理,原装正品,公司现货! |
||||
SAMTEC |
新 |
10952 |
全新原装 货期两周 |
||||
TST |
20+ |
DNA |
2391 |
公司现货,有挂就有货。 |
|||
TST |
23+ |
SMD |
56000 |
TST全系列在售,支持实单 |
|||
TST |
23+ |
- |
51000 |
华南总代 |
|||
TOSHIBA |
23+ |
NA |
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