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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=81A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-Channel30-V(D-S)175CMOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

N-Channel30-V(D-S)175CMOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel30-VD-S175CMOSFET

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威世科技威世科技半导体

Vishay
更新时间:2024-6-23 23:00:01
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