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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SUU50N03-07 | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：996.25 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 |   | |
SUU50N03-07 | N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =7.0mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 81A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 7mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET 文件：60.39 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET 文件：51.08 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
SUU50N03-07产品属性
- 类型
描述
- 型号
SUU50N03-07
- 功能描述
MOSFET 30V 50A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-251 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
Vishay |
12+ |
TO-251(IPAK) |
15000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
|||
INTERSIL |
23+ |
TO-263 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
Vishay |
2024+ |
TO-251 |
50000 |
原装现货 |
|||
VISHAY |
24+ |
TO-251 |
16800 |
绝对原装进口现货 假一赔十 价格优势!? |
|||
V |
24+ |
TO-251 |
5000 |
只做原装公司现货 |
|||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-251 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
VISHAY |
24+ |
TO-251 |
8866 |
||||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-251(IPAK) |
30000 |
只做正品原装现货 |
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