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UD4606 | N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：2.58059 Mbytes Page：14 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
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N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：2.58065 Mbytes Page：14 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 4606 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● N-Channel VDS = 30V,ID =6.9A RDS(ON) | TUOFENG 拓锋半导体 | | ||
High Q, high self-resonant frequency Special Features • High Q, high self-resonant frequency • High voltage application • Single layer or 3-pi universal wound • Low cost • Varnish coated • Operating temperature: phenolic -55 to +125°C iron & ferrite -55 to +105°C • Current to cause 35°C maximum temperature rise | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.22669 Mbytes Page：14 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Complementary High Density Trench MOSFET 文件：317.57 Kbytes Page：7 Pages | TUOFENG 拓锋半导体 | | ||
Binary reduction valve 文件：99.4 Kbytes Page：1 Pages | FESTOFesto Corporation. 费斯托费斯托（中国）有限公司 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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UTC/友顺 |
24+ |
NA/ |
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2025+ |
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