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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
UCD74120RVFR	High-Current,SynchronousBuckPowerStage 文件：876.73 Kbytes Page：22 Pages	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
UCD74120RVFR	封装/外壳：40-PowerLFQFN 功能：降压包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：IC REG BUCK 25A 40LQFN 集成电路（IC）稳压器 - DC-DC 开关稳压器	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
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SM74120	T1/CEPT/ISDN-PRITransformer 文件：180.14 Kbytes Page：1 Pages	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
SM74120E	T1/CEPT/ISDN-PRITransformer 文件：180.14 Kbytes Page：1 Pages	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
SM74120EL	T1/CEPT/ISDN-PRITransformer 文件：180.14 Kbytes Page：1 Pages	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
SN74120	DUALPULSESYNCHRONIZERS/DRIVERS 文件：273.95 Kbytes Page：7 Pages	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
SN74120	DUALPULSESYNCHRONIZERSDRIVERS 文件：273.76 Kbytes Page：7 Pages	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司

UCD74120RVFR供应商更多...

更新时间：2024-5-15 9:08:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市能元时代电子有限公司	UCD74120RVFR	TI/德州仪器	23+	LQFN	5500	主营品牌深圳百分百原装现货假一罚十绝对价优	询价
深圳市振鑫微电子科技有限公司	UCD74120RVFR	TI	2021+	QFN	30000	全新原装现货热卖	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	UCD74120RVFR	TI/德州仪器	22+	LQFN40	9000	原装正品	询价
深圳市诺美思科技有限公司	UCD74120RVFR	Texas Instruments	22+/23+	40-LQFN-CLIP(7x5)	7500	原装进口公司现货假一赔百	询价
深圳市智连鑫科技有限公司	UCD74120RVFR	TI(德州仪器)	2021/2022+	N/A	6000	原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品	询价
深圳市硅宇电子有限公司	UCD74120RVFR	TI/德州仪器	2324+	LQFN-40-CLIP(7x5)	78920	二十余载金牌老企,研究所优秀合供单位,您的原厂窗口	询价
深圳市创盛芯科技有限公司	UCD74120RVFR其他被动元件	TI/德州仪器	22+	LQFN40	12319	原装现货假一赔十	询价
瑞航达科技(深圳)有限公司	UCD74120RVFR	TI	16+	LQFN-CLIP	10000	原装正品	询价
深圳中芯器材有限公司	UCD74120RVFR	TI	2018+	原厂封装	5000	优势专营订货现货	询价
深圳市博正芯科技有限公司	UCD74120RVFR	Texas Instruments	21+	NA	11500	正品专卖,进口原装深圳现货	询价

UCD4071BG-SOP14R-TG
UCD4071BG-SOP14R-TG
2023-1-30
UCD9080RHBR
产品描述：电源序列发生器和监控器
2022-5-9
UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR可做含税，支持实单
2021-9-22
UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR可做含税，支持实单
2021-9-22
UCC5350SBDR
Half-Bridge门驱动器,MOSFETGateDrivers门驱动器,HighSide,LowSide门驱动器,8OutputHighSide门驱动器,15V门驱动器,MOSFETGateDriversHalf-BridgeSMD/SMT门驱动器
2020-7-9
UCC3957M-1-电池管理
UCC3957是一个BiCMOS工艺三个或四个细胞锂离子电池组保护装置的设计工作与外部P沟道MOSFET。利用外部P沟道MOSFET提供没有好处亏损系统地在过放电状态，保护IC以及不受损坏电池在过充电状态。内部状态机连续运行，保护每一个锂离子电池充电和放电。一个单独的过电流保护块保护电池组过度放电电流。如果任何电池电压超过过压阈值，是打开相应的外部P沟道MOSFET关闭，防止进一步的充电电流。外部N沟道MOSFET是需要转移到这个水平高边P沟道MOSFET。放电电流可以仍然流经的第二个P沟道MOSFET。同样，如果任何电池电压低于欠压限制，第二个P沟道MOS
2012-12-29