位置：首页 > IC中文资料 > UCD74120RVFR.B
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
UCD74120RVFR.B | High-Current, Synchronous Buck Power Stage 1 FEATURES 1• Integrates Synchronous Buck Driver and NexFET™ Power MOSFETS for High Power Density and High Efficiency • 25-A Output Current Capability for DSP and ASIC • 4.7-V to 14-V Input Voltage Range • Operational up to 2 MHz Switching Frequency • Built-In High-Side Current Protection | TI 德州仪器 |   | |
T1/CEPT/ISDN-PRI Transformer 文件：180.14 Kbytes Page：1 Pages | BOURNS 伯恩斯 | | ||
T1/CEPT/ISDN-PRI Transformer 文件：180.14 Kbytes Page：1 Pages | BOURNS 伯恩斯 | | ||
T1/CEPT/ISDN-PRI Transformer 文件：180.14 Kbytes Page：1 Pages | BOURNS 伯恩斯 | | ||
DUAL PULSE SYNCHRONIZERS/DRIVERS 文件：273.95 Kbytes Page：7 Pages | TI 德州仪器 | | ||
DUAL PULSE SYNCHRONIZERS DRIVERS 文件：273.76 Kbytes Page：7 Pages | TI 德州仪器 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
25+ |
LQFN-40-EP(5x7) |
20948 |
样件支持,可原厂排单订货! |
|||
TI |
25+ |
LQFN-40-EP(5x7) |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
TI/德州仪器 |
2026+ |
40-LQFN |
65248 |
百分百原装现货 实单必成 |
|||
TI |
13+ |
LQFN-40 |
324 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
TI/德州仪器 |
21+ |
LQFN40 |
7200 |
只做原装支持终端 |
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TI |
24+ |
40-LQFN-CLIP(7x5) |
66800 |
原厂授权一级代理,专注汽车、医疗、工业、新能源！ |
|||
TI |
20+ |
NA |
53650 |
TI原装主营-可开原型号增税票 |
|||
TI/德州仪器 |
25+ |
LQFN40 |
18000 |
全新原装现货,假一赔十 |
|||
TI |
23+ |
NA |
20000 |
||||
TI |
22+ |
40LQFNCLIP (7x5) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
UCD74120RVFR.B芯片相关品牌
UCD74120RVFR.B规格书下载地址
UCD74120RVFR.B参数引脚图相关
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2023-1-30UCD9080RHBR
产品描述：电源序列发生器和监控器
2022-5-9UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR 可做含税，支持实单
2021-9-22UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR 可做含税，支持实单
2021-9-22UCC5350SBDR
Half-Bridge 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers 门驱动器 , High Side, Low Side 门驱动器 , 8 Output High Side 门驱动器 , 15 V 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT 门驱动器
2020-7-9UCC3957M-1-电池管理
UCC3957是一个BiCMOS工艺三个或四个细胞 锂离子电池组保护装置的设计工作 与外部P沟道MOSFET。利用外部 P沟道MOSFET提供没有好处 亏损系统地在过放电状态， 保护IC以及不受损坏电池 在过充电状态。内部状态机 连续运行，保护每一个锂离子电池 充电和放电。一个单独的 过电流保护块保护电池组 过度放电电流。 如果任何电池电压超过过压阈值， 是打开相应的外部P沟道MOSFET 关闭，防止进一步的充电电流。外部 N沟道MOSFET是需要转移到这个水平 高边P沟道MOSFET。放电电流可以 仍然流经的第二个P沟道MOSFET。 同样，如果任何电池电压低于欠压 限制，第二个P沟道MOS
2012-12-29
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