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UCD7100_V01 | UCD7100DigitalControlCompatibleSingleLow-Side짹4-AMOSFETDriverwithCurrentSense 文件：1.6082 Mbytes Page：30 Pages | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 |  |   |
InfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,875nm,GaAlAs 文件：143.77 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |  | | |
InfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,950nm,GaAs 文件：143.23 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TI(德州仪器) |
2021+ |
HTSSOP-14 |
499 |
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TI(德州仪器) |
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TSSOP14 |
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TI |
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TSSOP14 |
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TI |
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TI |
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2023-1-30UCD9080RHBR
产品描述：电源序列发生器和监控器
2022-5-9UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR可做含税，支持实单
2021-9-22UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR可做含税，支持实单
2021-9-22UCC5350SBDR
Half-Bridge门驱动器,MOSFETGateDrivers门驱动器,HighSide,LowSide门驱动器,8OutputHighSide门驱动器,15V门驱动器,MOSFETGateDriversHalf-BridgeSMD/SMT门驱动器
2020-7-9UCC3957M-1-电池管理
UCC3957是一个BiCMOS工艺三个或四个细胞锂离子电池组保护装置的设计工作与外部P沟道MOSFET。利用外部P沟道MOSFET提供没有好处亏损系统地在过放电状态，保护IC以及不受损坏电池在过充电状态。内部状态机连续运行，保护每一个锂离子电池充电和放电。一个单独的过电流保护块保护电池组过度放电电流。如果任何电池电压超过过压阈值，是打开相应的外部P沟道MOSFET关闭，防止进一步的充电电流。外部N沟道MOSFET是需要转移到这个水平高边P沟道MOSFET。放电电流可以仍然流经的第二个P沟道MOSFET。同样，如果任何电池电压低于欠压限制，第二个P沟道MOS
2012-12-29
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