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U50N03

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Package with low thermal resistance • 100 Rg and UIS tested

VBSEMI

微碧半导体

30V, 50A N-CHANNEL,FAST SWITCHING MOSFET

DESCRIPTION FEATURE The AM50N03 is available in PDFN8(3.3x3.3) FEATURE  Super Low Gate Charge  Excellent CdV/dt Effect Decline  Advanced High Cell Density Trench Technology APPLICATION  High frequency switching mode power supply

AITSEMI

创瑞科技

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

50 Amps, 30 Volts N-CHANNEL MOSFET

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KIA

可易亚半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-26 16:38:00
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DOMOSYS
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115

U50N03数据表相关新闻

  • U5601-000205-500PA

    优势渠道

    2023-9-19
  • U4082BG-SOP28R-1TW0G_UTC代理商

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    2022-6-16
  • U1825DW-高速PWM控制器

    高频PWM控制IC UC1825系列最适合开关电源应用。特别注意通过比较,以最大限度地减少传播延迟和逻辑电路,同时最大限度地提高带宽和压摆率误差放大器。该控制器是专为使用在任一电流输入电压能力的模式或电压模式系统馈。保护电路包括电流限制比较器与一个1V门槛,一个TTL兼容关机端口,和一个软启动引脚这将增加一倍,作为最大占空比钳位。这种逻辑是完全提供抖动的自由运作,并禁止多个脉冲锁存输出。与为800mV的滞后欠压锁定部分保证低启动电流。在欠压锁定,输出高阻抗。这些器件具有图腾柱输出源和设计沉高容性负载的峰值电流,如门,功率MOSFET。对国家是一个高层次的设计。

    2012-11-24