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SST39SF010	512Kbit/1Mbit(x8)Multi-PurposeFlash PRODUCTDESCRIPTION TheSST39SF512/010areCMOSMulti-PurposeFlash(MPF)manufacturedwithSST’sproprietary,highperformanceCMOSSuperFlashtechnology.Thesplit-gatecelldesignandthickoxidetunnelinginjectorattainbetterreliabilityandmanufacturabilitycomparedwithalternateappro	SST Silicon Storage Technology，Inc.
SST39SF010A	1Mbit/2Mbit/4Mbit(x8)Multi-PurposeFlash PRODUCTDESCRIPTION TheSST39SF010A/020A/040areCMOSMulti-PurposeFlash(MPF)manufacturedwithSST’sproprietary,highperformanceCMOSSuperFlashtechnology.Thesplit-gatecelldesignandthickoxidetunnelinginjectorattainbetterreliabilityandmanufacturabilitycomparedwithalternatea	SST Silicon Storage Technology，Inc.
SST39SF010A	1Mbit/2Mbit/4Mbit(x8)Multi-PurposeFlash ProductDescription TheSST39SF010A/020A/040areCMOSMulti-PurposeFlash(MPF)manufacturedwithSST’sproprietary,highperformanceCMOSSuperFlashtechnology.Thesplit-gatecelldesignandthickoxidetunnelinginjectorattainbetterreliabilityandmanufacturabilitycomparedwithalternatea	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
SST39SF010A	1Mbit/2Mbit/4Mbit(x8)Multi-PurposeFlash Features •Organizedas128Kx8/256Kx8/512Kx8 •Single4.5-5.5VReadandWriteOperations •SuperiorReliability –Endurance:100,000Cycles(typical) –Greaterthan100yearsDataRetention •LowPowerConsumption (typicalvaluesat14MHz) –ActiveCurrent:10mA(typical) –Stand	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
SST39SF010A	1Mbit/2Mbit/4Mbit(x8)Multi-PurposeFlash 文件：227.46 Kbytes Page：29 Pages	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司

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更新时间：2024-6-21 22:30:01

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深圳市环球伟业电子有限公司	SST39SF010A-70-4C-NHE		21+	TO-220	15000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市易讯博科技有限公司	SST39SF010A-45-4I-NHE	Microchip	22+	NA	1899	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
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深圳市得捷芯城科技有限公司	SST39SF010A-70-4C-NHE	Microchip(微芯)	23+	PLCC	12666	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
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2022-6-16
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深圳科雨电子有限公司，联系人：卢小姐手机：18975515225 原装正品大量现货，有需要的可以联系我QQ:97877805微信：wei555222777
2019-5-17
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高频PWM控制ICUC1825系列最适合开关电源应用。特别注意通过比较，以最大限度地减少传播延迟和逻辑电路，同时最大限度地提高带宽和压摆率误差放大器。该控制器是专为使用在任一电流输入电压能力的模式或电压模式系统馈。保护电路包括电流限制比较器与一个1V门槛，一个TTL兼容关机端口，和一个软启动引脚这将增加一倍，作为最大占空比钳位。这种逻辑是完全提供抖动的自由运作，并禁止多个脉冲锁存输出。与为800mV的滞后欠压锁定部分保证低启动电流。在欠压锁定，输出高阻抗。这些器件具有图腾柱输出源和设计沉高容性负载的峰值电流，如门，功率MOSFET。对国家是一个高层次的设计。
2012-11-24

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