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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
BD245	NPN SILICON POWER TRANSISTORS NPN SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD246 Series ● 80 W at 25°C Case Temperature ● 10 A Continuous Collector Current ● 15 A Peak Collector Current ● Customer-Specified Selections Available	POINN	POINN
NTE245	Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier Description: The NTE245 (NPN) and NTE246 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO3 type case designed for use as output devices in general purpose amplifier applications. Features: • High DC Current Gain: hFE = 4000 Typ @ IC = 5A • Monolithic Construction with B	NTE	NTE
BF245A	N-channel silicon field-effect transistors 文件：97.4 Kbytes Page：11 Pages	PHILIPS 飞利浦	PHILIPS
BF245C	N-channel silicon field-effect transistors 文件：97.4 Kbytes Page：11 Pages	PHILIPS 飞利浦	PHILIPS
BLF245	VHF power MOS transistor 文件：91.6 Kbytes Page：12 Pages	PHILIPS 飞利浦	PHILIPS

U245供应商更多...

更新时间：2026-3-18 20:23:02

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	NTE245	NTE	25+	全新-电源模块	10238	NTE电源模块NTE245交期短价格好#即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NTE248		23+		39291	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	NTE2514	NTE	24+	SMD	5500	长期供应原装现货实单可谈	询价
深圳市赛美科科技有限公司	NTE2514	NTE		DIP	5500	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	NTE2543	NTE	23+		65480		询价
天津市博通航睿技术有限公司	NTE2514	NTE			10	优势货源原装正品	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	NTE2548	ON/安森美	2447	SOT252	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	NTE2548	ON/安森美	23+	SOT252	8000	只做原装现货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	NTE2548	ON/安森美	SOT252	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市博中泰实业有限公司	NTE2548	ON/安森美	24+	SOT252	60000		询价

U4082BG-SOP28R-1TW0G_UTC代理商
U4082BG-SOP28R-1TW0G_UTC代理商
2023-3-16
U2429G-SOP8R-TG_UTC代理商
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2023-2-13
U5379-01001Q-002BC
U5379-01001Q-002BC
2022-6-16
U5375-H20004-002BC
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2022-6-16
U.FL-LP-N-2(01)
深圳科雨电子有限公司，联系人：卢小姐手机：18975515225 原装正品大量现货，有需要的可以联系我 QQ:97877805 微信：wei555222777
2019-5-17
U1825DW-高速PWM控制器
高频PWM控制IC UC1825系列最适合开关电源应用。特别注意通过比较，以最大限度地减少传播延迟和逻辑电路，同时最大限度地提高带宽和压摆率误差放大器。该控制器是专为使用在任一电流输入电压能力的模式或电压模式系统馈。保护电路包括电流限制比较器与一个1V门槛，一个TTL兼容关机端口，和一个软启动引脚这将增加一倍，作为最大占空比钳位。这种逻辑是完全提供抖动的自由运作，并禁止多个脉冲锁存输出。与为800mV的滞后欠压锁定部分保证低启动电流。在欠压锁定，输出高阻抗。这些器件具有图腾柱输出源和设计沉高容性负载的峰值电流，如门，功率MOSFET。对国家是一个高层次的设计。
2012-11-24