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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 650V,1.2A,RDS(ON)=10.5W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 650V,2.0A,RDS(ON)=5.0W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-126Fpackage. Lead-freeplating;RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS
更新时间:2024-4-25 16:22:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET
23+
TO-263
90000
进口原装现货假一罚十价格合理
CET/華瑞
SOT-263
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
CET
24+25+/26+27+
TO-263-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
CET/華瑞
23+
NA/
5280
原装现货,当天可交货,原型号开票
CET
23+
TO-263
6000
原装正品,支持实单
CET
2020+
TO-263
16800
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!?
CET
23+
TO-263
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
CET/華瑞
2022+
TO-263
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
CET
23+
TO-263
7300
专注配单,只做原装进口现货
CET/華瑞
2022+
TO-263
79999

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