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T1G6001528-Q3中文资料

厂家型号

T1G6001528-Q3

文件大小

487.11Kbytes

页面数量

15

功能描述

DC 6 GHz 18 W GaN RF Power Transistor

射频GaAs晶体管 DC-6GHZ 28VOLT 18W GAIN 15DB

数据手册

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生产厂商

TRIQUINT

T1G6001528-Q3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    T1G6001528-Q3

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 DC-6GHZ 28VOLT 18W GAIN 15DB

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

更新时间:2025-10-14 16:57:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TRIQUINT
24+
晶体管
680
“芯达集团”专营军工、宇航级IC原装进口现货
TriQuint
16+
NA
3000
全新进口原装
TriQuint
2308+
原厂原包
6850
十年专业专注 优势渠道商正品保证
TRIQUIN
2019+
SMD
6992
原厂渠道 可含税出货
ROHM
24+
SOT89
1000
MICRON/美光
24+
BGA
60000
全新原装现货
MAKOSEMI
23+
SOT-323
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
TI
16+
SOT23
10000
进口原装现货/价格优势!
TI
17+
SOT23
6200
100%原装正品现货
NCC
20
全新原装 货期两周