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TRS4V65H中文资料

厂家型号

TRS4V65H

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7

功能描述

SiC Schottky Barrier Diode

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

TRS4V65H数据手册规格书PDF详情

Applications

• Power Factor Correction

• Solar Inverters

• Uninterruptible Power Supplies

• DC-DC Converters

Features

Chip design of 3rd generation

Low forward voltage : VF = 1.2 V (typ.)

Low total capacitive charge: Qc = 12nC (typ.)

Low reverse current: IR = 0.6 μA (typ.)

更新时间:2025-11-26 16:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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