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TRS4E65H中文资料

厂家型号

TRS4E65H

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7

功能描述

SiC Schottky Barrier Diode

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

TRS4E65H数据手册规格书PDF详情

Applications

• Power Factor Correction

• Solar Inverters

• Uninterruptible Power Supplies

• DC-DC Converters

Features

(1) Chip design of 3rd generation

(2) Low forward voltage : VF = 1.2 V (typ.)

(3) Low total capacitive charge: Qc = 12 nC (typ.)

(4) Low reverse current: IR = 0.6 μA (typ.)

更新时间:2026-2-9 20:40:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Toshiba
23+
TO-247
3268
东芝全系列原厂正品现货
FERRAZ/罗兰熔断器
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
SWCC
2450+
DIP8
6540
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品
huawei
SMD
22+
6000
十年配单,只做原装
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全新原装正品现货,支持订货
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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公司只做原装 品质保证