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厂家型号	TPC8A02-H
文件大小	484.96Kbytes
页面数量	8页
功能描述	竊큀SHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode High-Efficiency DC/DC Converter Applications ＴOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode High-Efficiency DC/DC Converter Applications
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	TOSHIBA

High-Efficiency DC/DC Converter Applications

Notebook PC Applications

Portable-Equipment Applications

• Built-in schottky barrier diode

Low forward voltage: VDSF = 0.6V(Max.)

• High-speed switching.

• Small gate charge.: QSW ＝ 11 nC(Typ.)

• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 4.3 mΩ (typ.)

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 40 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = 100 µA (max) (VDS = 30 V)

• Enhancement mode: Vth = 1.1 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

类型
描述
型号
TPC8A02-H
制造商
TOSHIBA
制造商全称
Toshiba Semiconductor
功能描述
ＴOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode High-Efficiency DC/DC Converter Applications

TPC8A02-H供应商...

更新时间：2025-12-2 17:40:00

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