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厂家型号	TPC8107
文件大小	219.55Kbytes
页面数量	7页
功能描述	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII) TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(U-MOSIII)
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	TOSHIBA

Lithium Ion Battery Applications

Notebook PC Applications

Portable Equipment Applications

• Small footprint due to small and thin package

• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 5.5 mΩ (typ.)

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 31 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = −10 µA (max) (VDS = −30 V)

• Enhancement mode: Vth = −0.8 to −2.0 V (VDS = −10 V, ID = −1 mA)

TPC8107供应商...

更新时间：2025-12-11 11:13:00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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