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厂家型号	TPC8102
文件大小	471.76Kbytes
页面数量	7页
功能描述	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (MOSVI) TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(MOSVI)
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	TOSHIBA

Lithium Ion Battery Applications

Notebook PCs

Portable Equipment Applications

● Small footprint due to small and thin package

● Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 34 mΩ (typ.)

● High forward transfer admittance : |Yfs| = 9 S (typ.)

● Low leakage current : IDSS = −10 µA (max) (VDS = −30 V)

● Enhancement−mode : Vth = −0.8~ −2.0 V (VDS = −10 V, ID = −1 mA)

TPC8102供应商...

更新时间：2025-12-9 15:14:00

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