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GT30J121中文资料

厂家型号

GT30J121

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功能描述

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 30A 3PIN TO-3P(N) - Rail/Tube

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

GT30J121数据手册规格书PDF详情

High Power Switching Applications

Fast Switching Applications

• Fourth-generation IGBT

• Enhancement mode type

• Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference)

High speed: tf = 0.05 μs (typ.)

Low switching loss : Eon = 1.00 mJ (typ.) : Eoff = 0.80 mJ (typ.)

• Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.0 V (typ.)

GT30J121产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT30J121

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 30A 3PIN TO-3P(N) - Rail/Tube

更新时间:2025-12-3 14:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
24+/25+
154
原装正品现货库存价优
TOSHIBA
25+
管3P
18000
原厂直接发货进口原装
TOSHIBA
23+
TO-3P
5000
原装正品,假一罚十
Toshiba
24+
NA
3234
进口原装正品优势供应
TOSHIBA
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
TOSHIBA(东芝)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
TOSHIBA/东芝
2447
TO-3P
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
TOSHIBA/东芝
23+
TO-3P(N)
50000
全新原装正品现货,支持订货
TOSHIBA/东芝
22+
TO-3P(N)
6000
十年配单,只做原装
TOSHIBA/东芝
05+
TO-247
3500
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力