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GT30J101中文资料

厂家型号

GT30J101

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6

功能描述

Silicon N Channel IGBT

TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 30A 3PIN TO-3P(N) - Rail/Tube

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

GT30J101数据手册规格书PDF详情

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 :

http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429

* GT30G124

- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V

- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A

* GT30J124

- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V

- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A

Applications and Features : Plasma display panels

GT30J101产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT30J101

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 30A 3PIN TO-3P(N) - Rail/Tube

更新时间:2025-12-4 11:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
25+
TO3P
18600
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
TOSHIBA
06+
TO-247
10000
自己公司全新库存绝对有货
TOSHIBA
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原厂直接发货进口原装
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23+
TO-3P
5000
原装正品,假一罚十
TOSHIBA
24+
TO3P
65200
一级代理/放心采购
TOSHIBA
23+
TO3P
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TOSHIBA
24+
TO-3P
5000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
TOSHIBA
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
TOSHIBA(东芝)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞