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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
TW107N65CS1F | MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS Features (1) Chip design of 3rd generation (Built-in SiC schottky barrier diode) (2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.) (3) High voltage: VDSS = 650 V (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 107 m Ω (typ.) (5) Less susceptible to malfunction due to high threshold voltage: | TOSHIBA 东芝 |   |
更新时间：2025-10-6 14:52:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SAMTEC/申泰 |
24+ |
CONN |
15448 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
TE/泰科 |
2508+ |
/ |
226570 |
一级代理，原装现货 |
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TE |
24+ |
con |
10000 |
查现货到京北通宇商城 |
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TOSHIBA |
2025+ |
12420 |
|||||
SAMTEC/申泰 |
23+ |
2021 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
24+ |
N/A |
58000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
TE/泰科 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
TE Connectivity |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
||||
SAMTEC |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
|||
TEConnectivity |
新 |
5 |
全新原装 货期两周 |
TW107N65CS1F规格书下载地址
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