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TW09价格

参考价格:¥882.7308

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MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Chip design of 3rd generation (Built-in SiC schottky barrier diode) (2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.) (3) High voltage: VDSS = 650 V (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 92 mΩ (typ.) (5) Less susceptible to

TOSHIBA

东芝

Power SiC MOSFETs

TOSHIBA

东芝

包装:散装 描述:SWITCH THUMBWHEEL HALL EFFECT 开关 导航开关,操纵杆

ETC

知名厂家

更新时间:2025-12-27 11:10:00
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