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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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TW045N120C | MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS Features (1) Chip design of 3rd generation (Built-in SiC schottky barrier diode) (2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.) (3) High voltage: VDSS = 1200 V (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 45 m Ω (typ.) (5) Less susceptible to malfunction due to high threshold voltage: | TOSHIBA 东芝 |   | |
TW045N120C | Power SiC MOSFETs | TOSHIBA 东芝 | | |
MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS Features (1) Chip design of 3rd generation (Built-in SiC schottky barrier diode) (2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.) (3) High voltage: VDSS = 1200 V (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 45 m Ω (typ.) (5) Less susceptible to malfunction due to high threshold voltage: | TOSHIBA 东芝 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TAISAW |
24+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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TST |
23+ |
SMD |
56000 |
TST全系列在售,支持实单 |
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TOSHIBA |
5 |
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TOSHIBA |
24+ |
con |
5 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
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TST |
23+ |
SMD |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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TOSHIBA |
2025+ |
12420 |
|||||
Toshiba |
23+ |
TO-247 |
3268 |
SIC芯片新能源供应全新正品 |
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24+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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TST |
23+ |
SMD |
25000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
|||
TST |
23+ |
- |
3000 |
华南总代 |
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2023-7-10TW045N120C,S1F MOSFET
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2023-4-23TVS二极管ESD 抑制器NSPM2051MUT5G安森美/ON 18138231376
联系人：刘冬英 电话：0755-83203002 手机：18138231376 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司 网址：www.ghwic.cn Shenzhen Guanghua Micro Technology Co., Ltd 公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
2020-8-11TW2866-LC1-CR
专业经营RENESAS 视频解码器-编码器-IC
2020-7-10TVS二极管阵列雷电浪涌保护-SP3384NUTG
Littelfuse的SP3384NUTG提供多种设计保护，不仅适用于雷电，还包括ESD，CDE和EFT
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TVS Diode， TRANSZORB SMCJ Series， Unidirectional， 48 V高端芯片热卖产品质量保证可提供样品
2019-3-5
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