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TW027Z65C

MOSFETsSiliconCarbideN-ChannelMOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Chipdesignof3rdgeneration(Built-inSiCschottkybarrierdiode) (2)Lowdiodeforwardvoltage:VDSF=-1.35V(typ.) (3)Highvoltage:VDSS=650V (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=27mΩ(typ.) (5)Lesssusceptibleto

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-7-25 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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