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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BD139-16

NPNpowertransistors

DESCRIPTION NPNpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.PNPcomplements:BD136,BD138andBD140 FEATURES •Highcurrent(max.1.5A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Driverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisioncircuits.

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

BD139-16

NPNPlasticEncapsulatedTransistor

FEATURES •Highcurrent •ComplementtoBD136,BD138andBD140

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
BD139-16

PowerTransistorsNPNSilicon45,60,80Volts

Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •DCCurrentGain-hFE=40(Min)@IC=

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MCC
BD139-16

Complementarylowvoltagetransistor

Description TheseepitaxialplanartransistorsaremountedintheSOT-32plasticpackage.Theyaredesignedforaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasi-complementarycircuits.TheNPNtypesaretheBD135andBD139,andthecomplementaryPNPtypesaretheBD136andBD140. Fe

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
BD139-16

Complementarylowvoltagetransistor

文件：157.51 Kbytes Page：9 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

TSW-139-16-G-S-RA供应商更多...

更新时间：2025-7-20 13:44:01
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