STMicroelectronics TSX3704毫微功耗四路CMOS电压比较器具有低电流消耗，每个比较器仅为5µA（典型值）。该器件在TS3704的基础上进行了改进，具有更低的电流消耗、更好的输入失调电压及增强的ESD耐受性。TSX3704具有较宽的温度范围，并可提供符合汽车级要求的型号。该器件与TS3704 CMOS比较器完全兼容，并可提供采用类似封装的型号。TSX3704还可采用全新的小型封装QFN16 3x3，从而实现更加广泛的应用集成。
特性
_低电源电流：每个比较器5µA（典型值）
_较宽的单电源电压范围（2.7V至16V）或双电源电压范围（±1.35V至±8V）
_超低输入偏置电流：1pA（典型值）
_输入共模电压范围包含接地
_推挽输出
_高输入阻抗：1012Ω（典型值）
_快速响应时间：典型值为2.7µs（5mV过驱条件下）
_ESD耐受性：4kV HBM，200V MM
应用
_汽车
_工业
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TSX339毫微功耗CMOS四路电压比较器
STMicroelectronics TSX339毫微功耗CMOS四路电压比较器具有极低电流消耗，每个比较器仅为5µA（典型值）。TSX339在TS339的基础上进行了改进，具有更低的电流消耗、更好的输入失调电压及增强的ESD耐受性。TSX339具有较宽的温度范围，并可提供采用TSSOP14封装的汽车级型号。该器件与TS339 CMOS比较器完全兼容，并可提供采用类似封装的型号。TSX339还可采用全新的小型封装QFN16 3x3，从而实现更加广泛的应用集成。
特性
_低电源电流：每个比较器5µA（典型值）
_较宽的单电源电压范围（2.7V至16V）或双电源电压范围（±1.35V至±8V）
_超低输入偏置电流：1pA（典型值）
_输入共模电压范围包含接地
_开漏输出
_高输入阻抗：1012Ω（典型值）
_快速响应时间：典型值为2µs（5mV过驱条件下）
_ESD耐受性：4kV HBM，200V MM
应用
_汽车
_工业
