位置：首页 > IC中文资料第3746页 > TSM4N80CI
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
TSM4N80CI | 800V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET | TSC 台湾半导体 |   | |
Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Isolated Central Mounting Hole • Fast Switching • Ease of Paralleling • Simple Drive Requirements • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
800V N-Channel Power MOSFET 文件：446.24 Kbytes Page：10 Pages | TSC 台湾半导体 | | ||
Fast Switching Speed 文件：49.72 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：319.64 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
4.0 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：165.63 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
4.0A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：201.52 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：398.61 Kbytes Page：8 Pages | NELLSEMI 尼尔半导体 | |
TSM4N80CI产品属性
- 类型
描述
- 型号
TSM4N80CI
- 功能描述
MOSFET 800V 4A N Channel Power Mosfet
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TSC/台湾半导体 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
TSC/台湾半导体 |
24+ |
NA/ |
3450 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
Taiwan Semiconductor(台湾半导 |
24+ |
TO220 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
SLGO |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
TSC/台湾半导体 |
2022+ |
TO-220 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
TSC/台湾半导体 |
24+ |
TO252 |
60000 |
全新原装现货 |
|||
24+ |
N/A |
76000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
TSC/台湾半导体 |
23+ |
TO252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
TSC |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
TAIWAN |
25+ |
TO-220 |
1675 |
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TSM4N80CI规格书下载地址
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2020-3-12
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