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位置：首页 > IC中文资料第3747页 > TSM4435BCS

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
TSM4435BCS

P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

文件：1.16633 Mbytes Page：4 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER
TSM4435BCSRLG

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •LoadSwitch •BatterySwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
TSM4435BCSRL

30VP-ChannelMOSFET

文件：210.56 Kbytes Page：6 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TSC
TSM4435BCSRLG

30VP-ChannelMOSFET

文件：210.56 Kbytes Page：6 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TSC
4435

ARX4435TransceiverforMacairH009Specification

GeneralDescription TheAeroflexLaboratoriesIncorporatedmodelARX4435andARX4435FParenewgenerationmonolithictransceiverswhichprovidescompliancewithMacairH009databusrequirements. ThemodelARX4435andARX4435FPperformthefront-endanalogfunctionofinputtingandoutputtin

AEROFLEX

Aeroflex Circuit Technology

AEROFLEX
4435

P-ChannelMOSFET

Plastic-EncapsulateMosfets FEATURES •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignforUltraLowOn-Resistance •VDS=-30V,ID=-8A •RDS(on)(m-ohm) 0.020@VGS=-10V,ID=-8A 0.030@VGS=-4.5V,ID=-5A APPLICATIONS •LoadSwitches •B

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰电子有限公司

HOTTECH
4435

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description The4435usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

GOFORD
4435

DELAYMODULES,TTL,SURFACEMOUNTED

文件：137.17 Kbytes Page：1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
4435

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

文件：1.00935 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

TSM4435BCS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TSM4435BCS

  • 功能描述

    MOSFET 30V N Channel Mosfet

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

TSM4435BCS供应商更多...

更新时间：2025-7-19 13:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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