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位置：首页 > IC中文资料第83页 > TSM10N60CI

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TSM10N60CI

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件：1.10765 Mbytes Page：10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

TSM10N60CI

600V, 10A, Single N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

TSM10N60CIC0

600V N-Channel Power MOSFET

General Description The TSM10N60 N-Channel enhancement mode Power MOSFET is produced by planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche

TSC

台湾半导体

TSM10N60CIC0

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件：1.10766 Mbytes Page：10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

TSM10N60CIC0

600V N-Channel MOSFET

文件：399.3 Kbytes Page：9 Pages

TSC

台湾半导体

10N60

10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching a

UTC

友顺

10N60

N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET

文件：2.17857 Mbytes Page：10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

10N60

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件：2.33382 Mbytes Page：11 Pages

VBSEMI

微碧半导体

10N60

10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：976.2 Kbytes Page：11 Pages

WXDH

东海半导体

10N60

10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：330.13 Kbytes Page：8 Pages

UTC

友顺

TSM10N60CI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TSM10N60CI

  • 功能描述

    MOSFET 600V 4,75Amp N channel Pwr MOSFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

TSM10N60CI供应商更多...

更新时间：2025-11-19 17:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
TSM10N80CIC0G
Taiwan Semiconductor(台湾半导
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