位置:首页 > IC中文资料第1584页 > TSM100N06
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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TSM100N06 | 60VN-ChannelPowerMOSFET 文件:611.79 Kbytes Page:6 Pages | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司 | ||
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology 文件:974.08 Kbytes Page:4 Pages | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | |||
60VN-ChannelPowerMOSFET 文件:611.79 Kbytes Page:6 Pages | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司 | |||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●FastRecoveryBodyDiode ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM100N06seriesMOSFETsisanewtechnology,whichcombinesaninnovativesuperjunctiont | ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司 | |||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●GreenDeviceAvailable Description: TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechno | ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司 | |||
OptiMOSTMPower-Transistor 文件:697.5 Kbytes Page:9 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | |||
N-ChannelEnhancementModePowerMosfet 文件:3.73479 Mbytes Page:7 Pages | FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司 | |||
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET 文件:433.03 Kbytes Page:6 Pages | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司 |
TSM100N06产品属性
- 类型
描述
- 型号
TSM100N06
- 功能描述
MOSFET 55V 100A N Channel Mosfet
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
25+ |
SOP-8 |
18000 |
全新原装 |
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TRUESEMI |
20+ |
TO-220 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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ST/ |
24+ |
SOP8 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
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ST/ |
24+ |
SOP8 |
12000 |
原装 |
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TRUESEMI |
24+ |
NA/ |
35750 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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Taiwan Semiconductor(台湾半导 |
24+ |
TO220 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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THOMAS RESEARCH PRODUCTS |
22+ |
NA |
500000 |
万三科技,秉承原装,购芯无忧 |
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ST原装 |
25+23+ |
SOP-8 |
25159 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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ST |
25+ |
SOP-8 |
16900 |
原装,请咨询 |
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TRUESEMI |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
TSM100N06规格书下载地址
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2021-7-17TSL1112RA-470K2R1-PF蓝色直插功率电感
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2019-12-2TSM1011AID-恒定电压和恒定电流控制器电池充电器和适配器
特点恒压和恒流控制低电压工作低外部元件数灌电流输出级易于补偿2kVESD保护参考电压:*固定输出电压参考2.545V*0.5%和1%的电压精度描述TSM1011是一种高度集成的解决方案SMPS应用要求CV(恒电压)和CC(恒流)模式。TSM1011集成了一个参考电压两个运算放大器(或运算输出常见的)收藏家。参考电压与一体运算放大器使得它一个理想的电压控制器。其他运算放大器,用很少的外部电阻器和相结合电压基准,可作为电流限制器。
2012-12-30TSM102-双运算放大器-双通道比较器和可调电压基准
TSM102是一个单片集成电路,包括两个运算放大器,两个比较器和一个精确的电压参考。此设备提供了空间和成本在许多应用如powersupply管理节能或数据采集系统。可调输出电压:Vref到32V灌电流能力1至100mA的1%和0.4%的电压精度LACTH免疫力比较低SUPPLYCURRENT。200mA/amp(VCC=5V)输入共模电压范围包括地面低输出饱和电压为250mV(IO=4毫安)
2012-12-29
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