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位置：首页 > IC中文资料第1584页 > TSM100N06CZ

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TSM100N06CZ

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：974.08 Kbytes Page：4 Pages

DOINGTER

杜因特

TSM100N06CZ

60V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

TSM100N06CZC0

60V N-Channel Power MOSFET

文件：611.79 Kbytes Page：6 Pages

TSC

台湾半导体

ADM100N06

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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爱德微

ADM100N06Q

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Green Device Available Description: These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS techno

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爱德微

BSZ100N06NS

OptiMOSTM Power-Transistor

文件：697.5 Kbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

FIR100N06PG

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

文件：3.73479 Mbytes Page：7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

HM100N06F

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：433.03 Kbytes Page：6 Pages

HMSEMI

华之美半导体

TSM100N06CZ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TSM100N06CZ

  • 功能描述

    MOSFET 55V 100A N Channel Mosfet

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

TSM100N06CZ供应商更多...

更新时间：2025-11-21 14:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
TSM100N06CZC0G
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TSM100N06CZ
TSC/台湾半导体
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