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Planar MOSFET

Truesemi

信安半导体

20A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

■ DESCRIPTION The UTC 20N60 is an N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand

UTC

友顺

HiPerFAST IGBT

VCES = 600 V IC25 = 40 A VCE(sat)typ = 1.7 V tfi(typ) = 100 ns Features • International standard packages JEDEC TO-268 surface mountable and JEDEC TO-247 AD • High current handling capability • Latest generation HDMOSTM process • MOS Gate turn-on - drive simplicity

IXYS

艾赛斯

Fast Switching

文件:95.42 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET

文件:1.15549 Mbytes Page:11 Pages

VBSEMI

微碧半导体

20A 600V N-channel enhanced field effect transistor

文件:833.85 Kbytes Page:6 Pages

YFWDIODE

佑风微

更新时间:2025-12-28 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TRUESEMI/信安
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NA/
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Truesem
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    制造商: Microchip 产品种类: 数字信号处理器和控制器 - DSP, DSC 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: MQFPF 最大工作温度: + 125 C 商标: Microchip Technology / Atmel 产品类型: DSP - Digital Signal Processors & Controllers 子类别: Embedded Processors & Controllers

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    特点 •易门1切断PNP开关晶体管内部的PLL •两个不同的优化放大器在单一封装 •集成的栅极保护二极管 •低噪声系数,高增益 •典型正向互异的31毫秒RESP28毫秒 •部份内部自偏置网络芯片 •更优越的交叉调制增益下降 •高AGC的范围与软斜坡 •主AGC控制范围从3 V至0.5 V的 •电源电压5 V(3 V至7 V) •SMD

    2012-12-17