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TSF10N80M

Planar MOSFET

Truesemi

信安半导体

800V N-Channel Planar MOSFET

Features RDSON=1.0Ω @Vgs=10V, Id=5A Low gate Charge(typical 45nC) Low Crss (typical 6.3pF) Fast switching capability 100% avalanche tested Improved dv/dt capability Halogen free and RoHS compliant Applications Switch Mode Power Supply Uninterruptible Power Supply (UPS) TV Power A d

SY

顺烨电子

800V N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 10N80 uses UTC’s advanced proprietary, planar stripe, DMOS technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) = 1.1Ω@VGS = 10 V

UTC

友顺

10A, 800V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:199.64 Kbytes Page:6 Pages

UTC

友顺

N-Channel Power MOSFET

文件:352.08 Kbytes Page:6 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:296.15 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-29 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TRUESEMI/信安
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    2012-12-17