| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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PolarHVHiPerFETPowerMOSFETISOPLUS220 N-ChannelEnhancementMode FastIntrinsicDiode AvalancheRated Features SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation Lowdraintotabcapacitance( | IXYS IXYS Corporation |  |   | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
PolarHVPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode FastRecoveryDiode AvalancheRated Features FastRecoverydiode UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated Internationalstandardpackages Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages Easytomount Spacesavings | IXYS IXYS Corporation | | | |
PolarHVPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode FastRecoveryDiode AvalancheRated Features FastRecoverydiode UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated Internationalstandardpackages Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages Easytomount Spacesavings | IXYS IXYS Corporation | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IXYS |
25+23+ |
T0-247 |
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绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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IXYS/艾赛斯 |
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原装现货假一罚十 |
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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IXYS |
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IXYS/艾赛斯 |
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原装正品 可含税交易 |
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IXYS |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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IXYS |
21+ |
T0-247 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
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TO-247 |
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制造商:Microchip 产品种类:数字信号处理器和控制器-DSP，DSC 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:MQFPF 最小工作温度:-55C 最大工作温度:+125C 商标:MicrochipTechnology/Atmel 产品类型:DSP-DigitalSignalProcessors&Controllers 子类别:EmbeddedProcessors&Controllers
2019-11-29TSDF02830Y-模拟杂项
特点•易门1切断PNP开关晶体管内部的PLL•两个不同的优化放大器在单一封装•集成的栅极保护二极管•低噪声系数，高增益•典型正向互异的31毫秒RESP28毫秒•部份内部自偏置网络芯片•更优越的交叉调制增益下降•高AGC的范围与软斜坡•主AGC控制范围从3V至0.5V的•电源电压5V（3V至7V）•SMD
2012-12-17
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